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Si1305DL
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
1.4
350
1.2
300
C iss
V GS = 1. 8 V
1.0
0. 8
V GS = 2.5 V
250
200
0.6
150
C oss
0.4
0.2
0.0
V GS = 4.5 V
100
50
0
C rss
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
8
6
4
2
0
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 4 V
I D = 1 A
1.6
1.2
0. 8
0.4
0.0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 1 A
0
1
2
3
4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Char g e
T J = 150 °C
1.0
0. 8
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
1
I D = 1 A
0.6
0.1
0.4
T J = 25 °C
0.01
0.001
0.2
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Volta g e
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Volta g e
Document Number: 71076
S13-0631-Rev. G, 25-Mar-13
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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